实验概况：硅通孔技术是通过在晶圆(Wafer)和晶圆之间，芯片(Chip)和芯片之间制作垂直导通，从而实现芯片间互连的一项三维堆叠技术。硅通孔电镀铜技术是硅通孔技术中的关键一环。为了解硅通孔电镀填充技术机理，需要对其整个填充过程进行仿真模拟。本仿真实验采用COMSOL软件2D平面建模虚拟仿真技术，通过学生选择相应的物理场，并进行参数设置，最后进行功能模拟，从而实现对通孔电镀填充技术的模拟实训，为学生掌握通孔电镀填充技术相关知识提供直观的帮助和认识。

实验目标：了解通孔电镀填充过程，掌握通孔电镀填充技术工作原理和概念。

实验功能：通过虚拟仿真技术通孔电镀填充过程演示和实训，并支持学生自主选择具体的参数设置项目和最终输出的仿真结果类型，从而加深对通孔电镀填充技术的理解。

教学效果：了解通孔电镀填充过程，掌握通孔电镀填充技术工作原理和概念。